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CSD85312Q3E| MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

CSD85312Q3E

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

品牌 :   Texas Instruments

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2390pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4 mOhm @ 10A, 8V
Supplier Device Package 8-VSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
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电子元件制造商

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