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SIS990DN-T1-GE3| MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

SIS990DN-T1-GE3

描述 :   MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 250pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® 1212-8 Dual
Power - Max 25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
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