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SIS990DN-T1-GE3| MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
SIS990DN-T1-GE3
描述 : MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
品牌 : Vishay Siliconix
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.1A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 250pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Power - Max | 25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 8A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
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