网站首页 > 产品> DMHC3025LSDQ-13

DMHC3025LSDQ-13| MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

DMHC3025LSDQ-13

描述 :   MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A, 4.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 590pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • altera品牌

      Altera今天宣布,公司荣获《中国电子报》的2010年度“十大最受中国市场欢迎的半导体品牌”奖。Altera在于上海举行的半导体设备暨材料国际大会(S...

  • altera fpga 时钟

      新款电源(型号ET4040)满足了高性能FPGA、处理器和存储器严格的内核电压需求。系统设计人员可以利用40A电源,采用单相或者多相配置,高效的...

  • vishay红外接收头

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.发布用于红外遥控应用的新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP39xxx和TSOP59xxx系列。Vishay S...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9