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SQJ200EP-T1_GE3| MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

SQJ200EP-T1_GE3

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 975pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Power - Max 27W, 48W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
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电子元件制造商

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