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SSM6N61NU,LF| MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

SSM6N61NU,LF

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 410pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package 6-UDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
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电子元件制造商

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