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IPG20N10S4L22AATMA1| MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
IPG20N10S4L22AATMA1
描述 : MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1755pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Power - Max | 60W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 17A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
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