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EM6M1T2R| MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

EM6M1T2R

描述 :   MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V, 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 13pF @ 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 Ohm @ 10mA, 4V
Supplier Device Package EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id -
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