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SSM6L09FUTE85LF| MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

SSM6L09FUTE85LF

描述 :   MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 20pF @ 5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 300mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Supplier Device Package US6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
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电子元件制造商

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