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SSM6N16FUTE85LF| MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

SSM6N16FUTE85LF

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9.3pF @ 3V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 200mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
Supplier Device Package US6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 100µA
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电子元件制造商

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