网站首页 > 产品> DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13| MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

DMG4822SSD-13

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

品牌 :   Diodes Incorporated

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 478.9pF @ 16V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 1.42W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
  • atmel系列

      Atmel将在此次展会上推出的面向物联网市场的全新解决方案包括:  • 低功耗嵌入式处理解决方案  o 业内功耗最低的面向物联网市场的ARM® ...

  • vishay电解电容

      Vishay Intertechnology,Inc.将其157PUM-SI系列超小型卡扣式功率铝电解电容的额定电压提高到500V。这些增强型器件是针对电源、工业电机控...

  • xilinx官方开发板

      开发板资源介绍  Xilinx Spartan 3E-FPGA,10万或25万门  FPGA特性18位乘法器,72位高速双端口Block RAM,以及500MHz+运算能...

  • ir vishay

      推出的器件的接近探测距离从10厘米到2米,从最低到最高灵敏度的动态范围超过4。作为接近传感器使用时,TSSP4056适合探测物体的距离,可用于玩...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9