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SSM6N35FE,LM| MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

SSM6N35FE,LM

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9.5pF @ 3V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 150mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 50mA, 4V
Supplier Device Package ES6 (1.6x1.6)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
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