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VT6M1T2CR| MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

VT6M1T2CR

描述 :   MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 1.2V Drive
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 7.1pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Power - Max 120mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Supplier Device Package VMT6
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
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电子元件制造商

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