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SI4966DY-T1-E3| MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
SI4966DY-T1-E3
描述 : MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
品牌 : Vishay Siliconix
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库存: AVAIL
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属性
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
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