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SI4936BDY-T1-E3| MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

SI4936BDY-T1-E3

描述 :   MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC

品牌 :   Vishay Siliconix

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库存: AVAIL

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属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 530pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Power - Max 2.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 5.9A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
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