网站首页 > 产品> PMDXB600UNEZ

PMDXB600UNEZ| MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

PMDXB600UNEZ

描述 :   MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

品牌 :   NXP Semiconductors

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 21.3pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-XFDFN Exposed Pad
Power - Max 265mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Supplier Device Package DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
  • altera品牌

      Altera今天宣布,公司荣获《中国电子报》的2010年度“十大最受中国市场欢迎的半导体品牌”奖。Altera在于上海举行的半导体设备暨材料国际大会(S...

  • dale vishay

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布功率等级提高到1.0W,采用0612小外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip® 检流电阻---W...

  • atmel存储芯片

      微控制器和触控方案领导厂商Atmel宣布推出全新单芯片AES-128防盗器和遥控无匙进入AVR®微控制器,适合于汽车用混合式钥匙应用。此混合式钥...

  • vishay电感

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的通过AEC-Q200认证的超薄、大电流IHLP 电感器——Vishay Dale IHLP1616BZ-5...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9