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EMD30T2R| TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

EMD30T2R

描述 :   TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

品牌 :   Rohm Semiconductor

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 250MHz, 260MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Power - Max 150mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k, 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Supplier Device Package EMT6
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 30V
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