网站首页 > 产品> RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F)| TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

RN1703JE(TE85L,F)

描述 :   TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

品牌 :   Toshiba Semiconductor and Storage

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-553
Power - Max 100mW
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Supplier Device Package ESV
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
  • xilinx官方开发板

      开发板资源介绍  Xilinx Spartan 3E-FPGA,10万或25万门  FPGA特性18位乘法器,72位高速双端口Block RAM,以及500MHz+运算能...

  • vishay/dale

      达勒(Dale)是生产无源元件的电子公司。  威世达勒的产品包括种类齐全的电阻、热敏电阻、电阻阵列、电感器、电阻和电阻/电容网络、连接器、磁性...

  • maxim半导体

      中国LED厂商崛起让LED彻底进入照明产业,它的半导体产业特征越来越薄弱,同时LED释放大量的高端人力。2017年3月6日消息,美信半导体(Ma...

  • altera 器件

      Altera公司与Intel公司今天宣布,采用Intel世界领先的封装和装配技术以及Altera前沿的可编程逻辑技术,双方合作开发多管芯器件。在此次合作中...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9