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IDB15E60| DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

IDB15E60

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

品牌 :   Infineon Technologies

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 29.2A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) 87ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package PG-TO263-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2V @ 15A
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电子元件制造商

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