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GL41T-E3/1| DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

GL41T-E3/1

描述 :   DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1300V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-213AB, MELF (Glass)
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-213AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1300V (1.3kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 1A
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电子元件制造商

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