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1N916B_T50R| DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

1N916B_T50R

描述 :   DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 75V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-204AH, DO-35, Axial
Reverse Recovery Time (trr) 4ns
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Supplier Device Package DO-35
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 20mA
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