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1N4006RL| DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
1N4006RL
描述 : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
品牌 : ON Semiconductor
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 800V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-41 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
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