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BYW29ED-200,118| DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

BYW29ED-200,118

描述 :   DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

品牌 :   NXP Semiconductors

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-Pak
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.05V @ 8A
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电子元件制造商

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