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BYW29ED-200,118| DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
BYW29ED-200,118
描述 : DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK
品牌 : NXP Semiconductors
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | - |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 8A |
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