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IDC04S60CEX1SA1| DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | * |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | * |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | * |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
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