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JANTXV1N6630US| DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

JANTXV1N6630US

描述 :   DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
Current - Reverse Leakage @ Vr 2µA @ 1000V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case SQ-MELF, E
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-5B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.4A
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电子元件制造商

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