网站首页 > 产品> JANTXV1N6077

JANTXV1N6077| DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

JANTXV1N6077

描述 :   DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL

品牌 :   Microsemi HI-REL [MIL]

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 1.3A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 100V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 155°C
Package / Case E, Axial
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package E-PAK
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.76V @ 18.8A
  • vishay电容

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出在-55℃~+175℃温度及50%电压降额情况下工作的新系列HI-TMP®...

  • vishay general semiconductor

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS Tren...

  • vishay/sfernice

      宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 8 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的磁性位置...

  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9