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JANTX1N5809URS| DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
在线报价一
属性
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 4A |
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品牌 : STMicroelectronics
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