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1N5550US| DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

1N5550US

描述 :   DIODE GEN PURP 200V 3A D5B

品牌 :   Microsemi Corporation

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 3A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case SQ-MELF, B
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package D-5B
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
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