网站首页 > 产品> 1N5554US

1N5554US| DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

1N5554US

描述 :   DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF

品牌 :   Microsemi Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 3A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 1000V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case SQ-MELF, B
Reverse Recovery Time (trr) 2µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package B, SQ-MELF
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A
  • vishay general semiconductor

      Vishay Intertechnology, Inc.宣布,新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,扩充其表面贴装的TMBS Tren...

  • vishay tvs

      Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用超薄DO-214AA封装的新系列表面贴装TransZorb®瞬态电压抑制器(TVS)...

  • atmel处理器

      电池已经是移动设备的致命弱点,我们多数人都已经习惯了在每天睡觉之前都给自己的智能手机充电,否则第二天就会遭遇电量不够的尴尬。而不仅是智能...

  • xilinx电子

      赛灵思公司(Xilinx, Inc.)今天宣布,百度已在其公有云中部署了基于赛灵思 FPGA 的应用加速服务。百度 FPGA 云服务器是百度云推出的一项...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9