S12M| DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

S12M

描述 :   DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 12A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A
  • vishay 传感器

      近日,Vishay Intertechnology宣布,推出新的高灵敏度接近和环境光传感器--- VCNL4200。该传感器采用Filtron技术,探测距离达到1.5米,使用...

  • avago 光模块

      针对有线,无线,存储以及工业应用的模拟接口器件供应商Avago安华高科近日推出其针对高速数据中心应用的40G单纤双向多模光纤QSFP+光模块AF...

  • vishay bc

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

  • atmel studio

      半导体业购并风潮不断,但购并后的产品线与组织调整,才是购并后能否成功的关键。微芯(Microchip)在2016年4月完成对爱特梅尔(Atmel)的收购案,如...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9