S12M| DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

S12M

描述 :   DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 12A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-4
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A
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电子元件制造商

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