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VS-10ETF10-M3| DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC

VS-10ETF10-M3

描述 :   DIODE GEN PURP 1KV 10A TO220AC

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1000V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Package / Case TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr) 310ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.33V @ 10A
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