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1N5061 TR| DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
1N5061 TR
描述 : DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A
品牌 : Central Semiconductor Corp
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库存: AVAIL
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属性
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | R-1 (Axial) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | GPR-1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
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