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DLA11C-TR-E| DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD

DLA11C-TR-E

描述 :   DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD

品牌 :   ON Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 1.1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Package / Case 2-SMD
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 980mV @ 1.1A
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