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S3MHE3_A/I| DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

S3MHE3_A/I

描述 :   DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 3A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1000V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-214AB, SMC
Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-214AB, (SMC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15V @ 2.5A
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电子元件制造商

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