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S1JHE3_A/I| DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

S1JHE3_A/I

描述 :   DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

品牌 :   Vishay Semiconductor Diodes Division

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1µA @ 600V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-214AC, SMA
Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
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