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DSI30-12AS| DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263

DSI30-12AS

描述 :   DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263

品牌 :   IXYS

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属性

Capacitance @ Vr, F 10pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr 40µA @ 1200V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-263AB (D²PAK)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.29V @ 30A
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电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9