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IDP08E65D1XKSA1| DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

IDP08E65D1XKSA1

描述 :   DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2

品牌 :   Infineon Technologies

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库存: AVAIL

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属性

Capacitance @ Vr, F -
Current - Average Rectified (Io) 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr 40µA @ 650V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr) 80ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 8A
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