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MSRT200160(A)| DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

MSRT200160(A)

描述 :   DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER

品牌 :   GeneSiC Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 600V
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Diode Type Standard
Mounting Type Chassis Mount
Package / Case Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) -
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package Three Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1600V (1.6kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 200A
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