网站首页 > 产品> IR2011S

IR2011S| HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

IR2011S

描述 :   HI/LO SIDE DRVR 8SOIC

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 1A, 1A
Driven Configuration Half-Bridge
Gate Type N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 200V
Input Type Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 0.7V, 2.2V
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rise / Fall Time (Typ) 35ns, 20ns
Supplier Device Package 8-SOIC
Voltage - Supply 10 V ~ 20 V
  • atmel微处理器

      爱特梅尔公司 (Atmel Corporation) 宣布为基于ARM926EJ-S 的400 MHz AT91SAM9G20 嵌入式微处理器 (MPU),以及AT91SAM9 系...

  • vishay semiconductor

      日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出专门为串接太阳能逆变器和中功率不间断电源(UPS)设计的新款IGBT电源模块。Vishay Semic...

  • vishay nobel传感器

      Vishay Intertechnology Inc.已签署协议,收购工业传感器与控制器件供应商SI Technologies,以加强自己在传感器仪表与系统市场中的地位。预...

  • vishay bc

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩展其用于能量采集、备用电源和UPS电源的220 EDLC ENYCAPTM系列电力双层储能电容器...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9