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IX2120B| 1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

IX2120B

描述 :   1200V HIGH AND LOW SIDE GATE DRI

品牌 :   IXYS Integrated Circuits Division

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库存: AVAIL

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属性

Channel Type Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) 2A, 2A
Driven Configuration Half-Bridge
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) 1200V
Input Type Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH 6V, 9.5V
Mounting Type Surface Mount
Number of Drivers 2
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Rise / Fall Time (Typ) 9.4ns, 9.7ns
Supplier Device Package 28-SOIC
Voltage - Supply 15 V ~ 20 V
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电子元件制造商

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