网站首页 > 产品> MT47H512M4THN-25E:H

MT47H512M4THN-25E:H| IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA

MT47H512M4THN-25E:H

描述 :   IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 63FBGA

品牌 :   Micron Technology Inc.

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Format - Memory RAM
Interface Parallel
Memory Size 2G (512M x 4)
Memory Type DDR2 SDRAM
Operating Temperature 0°C ~ 85°C (TC)
Package / Case 63-FBGA
Speed 2.5ns
Supplier Device Package 63-FBGA (9x11.5)
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.9 V
  • atmel加密芯片

      全球微控制器(MCU)及触控技术解决方案领域的领导者Atmel公司 (NASDAQ:ATML)与京东智能(JD Smart)今日联合宣布,双方合作举办的...

  • vishay陶瓷电容

      Vishay 的 HOTcap 系列径向引线多层陶瓷电容器(MLCC)。该电容器能满足汽车应用所要求的极端工作条件。K…H 系列的高工作温度、径向引线...

  • vishay semiconductor diodes division

      日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,新增10颗采用eSMP?系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件,...

  • atmel 2051

      Atmel公司日前宣布推出其新的基于单周期8051核心(Single-Cycle 8051 Core)的AT89LP系列产品,其速度较标准的8051核心快12倍,这一新的系列...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9