网站首页 > 产品> HYB25D512800CE-6

HYB25D512800CE-6| IC DDR SDRAM 512M 166MHZ 66TSOP

HYB25D512800CE-6

描述 :   IC DDR SDRAM 512M 166MHZ 66TSOP

品牌 :   Qimonda

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Format - Memory RAM
Interface Parallel
Memory Size 512M (64M x 8)
Memory Type DDR SDRAM
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Package / Case 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Speed 166MHz
Supplier Device Package 66-TSOP II
Voltage - Supply 2.3 V ~ 2.7 V
  • vishay bc电容

      日前,Vishay Intertechnology宣布其Vishay BCcomponents 220 EDLC ENYCAP系列电力双层储能电容获得《今日电子》杂志和21IC中国...

  • vishay产品

      宾夕法尼亚、MALVERN—2017年8月17日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,扩展其用于能量采集、备用电...

  • vishay牌

       Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的符合JEDEC MO-137 variation AB和AE的16pin和24pin版本,扩充其采用25mil引脚间距Q...

  • vishay precision group

      (VSH) 6.86 : VIShay宣布将分拆测量与电阻片事业为一家独立上市公司,取名为Vishay Precision Group,分拆作业将以免税配发股票股利给V...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9