网站首页 > 产品> 2N5116

2N5116| JFET P-CH 30V 0.5W TO18

2N5116

描述 :   JFET P-CH 30V 0.5W TO18

品牌 :   Central Semiconductor Corp

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
Current Drain (Id) - Max -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 25pF @ 15V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Power - Max 500mW
Resistance - RDS(On) 150 Ohm
Supplier Device Package TO-18
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 30V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1V @ 1nA
  • vishay mkp

      高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器——Vishay Roederstein MKP386M,该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块上,容量从0.047μF...

  • vishay二极管

      日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的4路ESD保护阵列---VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺...

  • atmel触控ic

      半导体整并潮方兴未艾,继安华高(Avago)收购博通(BROADCOM)、英特尔收购ALTERA之后,德国芯片厂戴乐格半导体(dialog SEMICO...

  • vishay和ir

      日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出用于消费类产品中红外遥控应用的两个新系列微型红外(IR)接收器模块---TSOP33xxx和TSOP...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9