网站首页 > 产品> IHW30N120R3FKSA1

IHW30N120R3FKSA1| IGBT 1200V 60A 349W TO247-3

IHW30N120R3FKSA1

描述 :   IGBT 1200V 60A 349W TO247-3

品牌 :   Infineon Technologies

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Gate Charge 263nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-247-3
Power - Max 349W
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 1.47mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C -/326ns
Test Condition 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • vishay vitramon

    目前无论在工业、汽车、通信、军工还是医疗电子市场,高精度薄膜电阻、超级结三极管(包含MOSFET)、高容值薄膜电容、超级电容、光传感器、IG...

  • vishay mosfet

      据悉,Vishay近日宣布,发布新的30V N沟道TrenchFET第四代功率MOSFET---SiA468DJ,为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率...

  • vishay 电容

      Vishay检查表: 采用安规电容防止过载的注意事项   1. 所需电容类型取决于进行差模滤波还是共模滤波    · 差模干扰指脉冲信号沿两条导线(L...

  • atmel单片机

      每种单片机的型号都是由一长串字母和数字构成,里面包含了芯片生产商、芯片家族、芯片的最高时钟频率、芯片的封装、产品等级等信息。  下面以A...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9