网站首页 > 产品> HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS| IGBT 600V 34A 125W TO263AB

HGT1S7N60A4DS

描述 :   IGBT 600V 34A 125W TO263AB

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 34A
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A
Gate Charge 37nC
IGBT Type -
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 125W
Reverse Recovery Time (trr) 34ns
Supplier Device Package TO-263AB
Switching Energy 55µJ (on), 60µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 11ns/100ns
Test Condition 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
  • xilinx官方开发板

      开发板资源介绍  Xilinx Spartan 3E-FPGA,10万或25万门  FPGA特性18位乘法器,72位高速双端口Block RAM,以及500MHz+运算能...

  • atmel 芯片

      据《纽约时报》报道,美国芯片制造商微芯科技(Microchip Technology)宣布以36亿美元收购同行Atmel,在半导体行业再掀并购浪潮。芯片制造商们一...

  • atmel mxt336s

      三星Galaxy S4 Mini智能手机使用1.7GHz双核处理器,并且运行于Android 4.2.2操作系统,采用4.3英寸高清晰度超级AMOLED显示屏和使用爱...

  • vishay工厂

      Vishay Semiconductors VCNL4035X01采用FiltronTM技术,采用小尺寸4mm x 2.36mm x 0.75mm表面贴装封装,组合了用于接近和环境光的光探测...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9