网站首页 > 产品> APT33GF120LRDQ2G

APT33GF120LRDQ2G| IGBT 1200V 64A 357W TO264

APT33GF120LRDQ2G

描述 :   IGBT 1200V 64A 357W TO264

品牌 :   Microsemi Corporation

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 64A
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Gate Charge 170nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Power - Max 357W
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package TO-264 [L]
Switching Energy 1.315mJ (on), 1.515mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 14ns/185ns
Test Condition 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • xilinx fpga开发

      All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc.,(NASDAQ:XLNX))今天宣布,百度已在其公有云中部署了基于赛灵思...

  • altera配置芯片

      Altera制造了现场可编程门阵列芯片( field programmable gate arrays,FPGAs),人们可以通过给这种芯片编程来使其能够完成特定的任务。它和传...

  • atmel 触摸

      电容式触摸技术在智能手机领域正在快速成为市场主流触摸技术,而就表面电容式触摸技术(SCT)和投射电容式触摸技术(PCT)而言,Atmel亚太区市...

  • vishay威世

      Vishay(威世)近日推出五种新型低阻抗、高压模拟开关,接通电阻低至10Ω,可应用于音频、视频和数据交换等场合。新器件包括双电源供电单极/单掷(S...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9