网站首页 > 产品> HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN| IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

HGT1S2N120CN

描述 :   IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

品牌 :   Fairchild Semiconductor

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 13A
Current - Collector Pulsed (Icm) 20A
Gate Charge 30nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Power - Max 104W
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package TO-262
Switching Energy 96µJ (on), 355µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25ns/205ns
Test Condition 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • maxim半导体

      中国LED厂商崛起让LED彻底进入照明产业,它的半导体产业特征越来越薄弱,同时LED释放大量的高端人力。2017年3月6日消息,美信半导体(Ma...

  • vishay 钽电容

      Vishay将卡扣式铝电容器中的500V器件的使用寿命延长到5000小时  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,将159 PUL-SI系列卡扣式铝...

  • vishay tvs管

      宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 2 月2 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列表面贴...

  • altera下载器

      Altera将在其20nm的产品上实现对于FPGA硅片融合的创新技术。在20nm的平台上,Altera将向客户提供一个终极系统集成平台,一个混合系统架构,...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9