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HGT1S10N120BNS| IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

HGT1S10N120BNS

描述 :   IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

品牌 :   Fairchild Semiconductor

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库存: AVAIL

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属性

Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Gate Charge 100nC
IGBT Type NPT
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Power - Max 298W
Reverse Recovery Time (trr) -
Supplier Device Package TO-263AB
Switching Energy 320µJ (on), 800µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Test Condition 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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