网站首页 > 产品> GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND| IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

GPA025A120MN-ND

描述 :   IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

品牌 :   Global Power Technologies Group

PDF :   PDF

库存: AVAIL

现货极具优势,无起订量限制,支持BOM表整单报价!

属性

Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 75A
Gate Charge 350nC
IGBT Type NPT and Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3
Power - Max 312W
Reverse Recovery Time (trr) 480ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 4.15mJ (on), 870µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 57ns/240ns
Test Condition 600V, 25A, 10 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
  • vishay公司

    威世半导体(Vishay Semiconductors)整合了过去的威世特洛芬肯(Vishay Telefunken)、过去的通用半导体(General Semiconductor)的生产线、英...

  • vishay 电位器

      目前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用Bulk Metal®箔工艺的超高精度Accutrim™系列微调电位器 --- 1202系列,该系列器件采用1...

  • atmel 芯片

      据《纽约时报》报道,美国芯片制造商微芯科技(Microchip Technology)宣布以36亿美元收购同行Atmel,在半导体行业再掀并购浪潮。芯片制造商们一...

  • maxim 半导体

      德意志银行的分析师在其最近的调研报告里写到:“我们坚信在现在的半导体环境下,并购会长期存在”,并且他们认为,Maxim是这个“半导体潜在收购...

电子元件制造商

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9    A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z  0 1 2 3 4 5 6 7 8 9